氧化鉿等金屬氧化物的應用范圍非常廣泛。正常情況下，它們一般通過噴濺在基座上制造而成。然而，當科學家們試圖通過噴濺制造高質量的電子材料時，卻碰到了一個問題，即很難精確控制沉積過程的能量情況以及材料的屬性。為此，弗洛維特團隊使用了英國等離子探索有限公司研發(fā)的新奇沉積技術——利用高靶濺射（HiTUS）來促進等離子濺射。
氧化鉿是一種電絕緣體，能被用于制造光學涂層、電容器以及晶體管等。因為氧化鉿的介電常數(shù)（電位移與產(chǎn)生電位移的電場密度之間的比率）比較高，而材料的介電常數(shù)越高，其存儲電荷的能力越強，也就是說電容越大，有些公司目前正用氧化鉿替代晶體管中的二氧化硅。
氧化鉿可以不同的非晶體結構和多晶體結構的形式出現(xiàn)。但非晶體結構缺少多結晶結構內(nèi)存在的晶界（一個多晶體內(nèi)材料內(nèi)，兩個晶體相遇的點就是晶界），因此比多晶體結構更好。晶界就像導電通路，不僅會讓電阻率變小，也會導致設備大面積出現(xiàn)導電能力不均的情況，這會導致設備的性能變得不均勻。然而，迄今為止，非晶體氧化鉿的介電常數(shù)一直比較低，僅為20左右，而弗洛維特團隊研制出的新式氧化鉿的介電常數(shù)則高于30。
弗洛維特表示，與其他形式相比，非結晶電介質（包括氧化鉿）的性質更加均勻，而且，沒有晶界也使材料的電阻率更高、光子散射更低。
研究人員在室溫下，利用快速沉積過程制造出了新材料，這使其尤其適合用來制造有機電子器件、大容量的半導體等。沒有晶界也使該材料成為制造光學涂層和高效光伏設備的理想材料。
