中國儲能網(wǎng)訊：Alta Devices宣布其砷化鎵太陽能光伏刷新世界紀(jì)錄，該公司生產(chǎn)31.6%雙結(jié)電池，此項最新技術(shù)獲得美國能源部國家可再生能源實驗室(NREL)認(rèn)證。
2013年Alta單結(jié)太陽能電池效率紀(jì)錄達(dá)30.8%，此后不久，該紀(jì)錄被NREL趕超，然而Alta重新再次刷新世界紀(jì)錄。
Alta Devices表示取得這樣的效率紀(jì)錄主要是通過修改其單結(jié)砷化鎵設(shè)計，包括磷化銦鎵層(InGaPh)，可更有效利用高效率光子。
Alta現(xiàn)在保持單結(jié)雙結(jié)砷化鎵薄膜太陽能電池技術(shù)世界紀(jì)錄。但是還面臨將此實驗室研究技術(shù)創(chuàng)新投入到批量生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，生產(chǎn)成本是另外一個問題。GaAs電池在全球光伏市場占據(jù)比例很小。
該公司在無人機應(yīng)用中推廣GaAs電池的薄度和輕量型，聲稱GaAs組件電池片表面積更小而產(chǎn)生的電量卻更多。Alta Devices還為可穿戴技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用生產(chǎn)光伏。(文/Tina譯)
